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碳化硅芯片設計工程師
崗位職責： 1.進行碳化硅MOSFET, IGBT, SBD等功率半導體的器件及工藝仿真,版圖設計和工藝流程制定； 2.器件封裝，測試，特性及失效分析； 3.工藝和設計方案優(yōu)化，提高產(chǎn)品性能及良率；碳化硅功率模塊設計工程師
崗位職責： 1、負責IGBT/SIC功率模塊布局設計、結(jié)構(gòu)設計、電/熱/力性能分析和優(yōu)化； 2、負責功率模塊可靠性設計仿真優(yōu)化； 2、負責建立及維護材料庫，負責產(chǎn)品技術文檔編制；開關電源設計工程師
崗位職責： 1、負責IGBT/SIC功率模塊布局設計、結(jié)構(gòu)設計、電/熱/力性能分析和優(yōu)化； 2、負責功率模塊可靠性設計仿真優(yōu)化；微電子專業(yè)應屆畢業(yè)生
崗位職責：(參與MOS芯片開發(fā)） 1、根據(jù)市場趨勢，共同建立MOS（Trench MOS，SGT MOS）芯片設計發(fā)展規(guī)劃圖； 2、共同制定芯片設計與開發(fā)項目的目標和規(guī)劃，制定明確的項目進程表； 3、根據(jù)AE分析，對所要開發(fā)的MOS產(chǎn)品進行參數(shù)指標的設定；
0571-83525950